目前，GaN基半导体材料与器件由于其具有优异的性能而受到广泛的关注，成为当前国际的研究热点。2008年，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵科研团队用了近两年时间，从无到有，建立了具有国际先进水平的GaN基紫光电子材料和器件研究平台。特别是在GaN基材料方面，通过广泛的调研和多方论证，建立了国内首台高温MOCVD材料生长系统，为后续的研究奠定了坚实的基础。基于这一平台，GaN基光电子材料与器件学科得到了飞速发展，在国内已经具有了一定影响力。

　　近几年来，团队以高质量的GaN基材料外延生长为基础，以研制高性能的GaN基紫外光电子器件为目标，一方面通过改进外延方法来改善材料结晶质量，从而提高器件性能并通过器件来验证材料质量；另一方面从器件结构入手，提出新的器件结构设计来实现高性能的GaN基紫外光电子器件。基于上述研究理念，团队以高质量材料和高性能器件为研究目标，以“缺陷调控、能带调控和光场调控”为指导思想，开展了系统深入的研究，取得了一系列的创新性成果。

　　在GaN材料方面，从“缺陷调控”的角度出发，创新地采取“形核控制”、“应力控制”以及“外延控制”的方法，系统研究了AlN、AlGaN材料的生长动力学，获得了高质量AlN模板、高Al组分AlGaN、高质量AlGaN/AlN多量子阱以及无应变InAlGaN材料。同时，在对GaN基材料深入研究的基础上，针对GaN基紫外器件，如探测器也开展深入研究。加强国际合作，扩大影响，推动实质性合作。他们通过互访、指导研究生、组织国际学术会议等模式，开展了多种形式的合作，为本学科及中科院长春光机所在提升国际影响力方面贡献了力量。　　　　　　　　　　（曹清洁）

吉林日报3月10日 http://news.xinhuanet.com/local/2015-03/10/c_127562327.htm