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第46期发光学论坛——原子尺度下器件纳米结构与性能的动态调控机制研究
  2018-12-28 吴幸 研究员
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  报告题目:原子尺度下器件纳米结构与性能的动态调控机制研究 

  报告人  :吴幸 研究员 华东师范大学 

  报告时间:2018.12.28  上午9:30 

  报告地点:东配楼五楼大会议室 

  摘要: 

  随着低维器件尺寸的不断发展,界面缺陷对器件的可靠性影响越来越显著。然而,目前大多数测量和表征手段是静态的。目前,需要一种技术和方法,可以动态地观察缺陷在电场作用下的演化过程,揭示影响器件可靠性的关键因素。本报告将介绍吴幸研究员团队近期在原子尺度下器件纳米结构与性能的动态调控机制研究的进展。 

  个人简介: 

  吴幸,研究员,现就职于华东师范大学,信息科学技术学院电子工程系。一直从事微电子学专业,2008年获得西安交通大学学士学位,2012年获得新加坡南洋理工大学博士学位(导师Prof. Kinleong Pey),随后在新加坡科技与设计大学和东南大学从事研究工作,2014年起任华东师范大学紫江青年研究员。在Nature CommunicationsAdvanced MaterialsApplied Physics LettersIEEE Electronic Device Letters等发表论文90余篇,引用率超过2000次。获得上海高校特聘教授(东方学者)、上海市青年科技启明星、中国科协青年人才托举工程等称号。 

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